1.X-Ray

  应用特点﹕以低密度区为背景，观察材料的高密度区的密度异常点(主要用来判定引线断裂)

  原理﹕透视X光被样品局部吸收后成像的异常

2. SAT (Scanning Acoustic Tomography)

应用特点﹕以高密度区为背景，观察材料内部空隙或低密度区（主要用来判定封装内的空隙和芯片粘接失效）

原理﹕超声波遇空隙受阻反射

3. DECAP (Decapsulation)

应用特点﹕除去IC表面封胶,保存IC内部 Die﹑Bond Wire的完整性其他器件的塑料解剖分析可完整呈现IC的内部结构

4. DECAP

分析的主要特点

• 器件开封分析的结果直观、可测试性

• 器件开封分析在器件分析中较常使用，但要满足微电子失效分析的要求，样品处理难度很高

• 器件开封的过程简单时间较短,但对酸类的选择依据长期的经验性和良好的数据库

• 器件开封分析是一种破坏性分析手段

• 器件开封分析可得到样品内部封装结构、缺陷等丰富信息

5．Cross Section

    应用特点﹕固胶后研磨抛光对IC﹐PCB等作样品制备,显示缺陷

6. SEM (Scanning Electrical Microscope)

    应用: 对物体进行表面型态观察及微区元素成分分析.                         

            观察Decap后的IC组件表面的缺陷,以便 FA分析以及探测表面的元素成分与含量.

7. SEM +EDX

  主要特点

•  扫描电子显微镜景深大，适合作断口、形貌的观测

• 扫描电子显微镜放大倍率为20至20万倍，连续可调

• 扫描电子显微镜可获得形貌、成分等多方面信息

• 扫描电子显微镜样品表面需导电，表面不导电的样品需蒸金或蒸碳

• 电子能谱可探测原子序数比硼高的元素，分析结果为半定量

8. FIB(Focused Ion Beam)

   原理:静电透镜聚焦的高能量镓离子, 经高压电场加速后撞击试片表面, 在特定气体协作下产生图像并移除或               沉 淀(连接)物质, 其分辨率为亚微米级别. 离子束实体喷溅加以卤素气体协作, 可完成移除表面物质 (纵               向 解剖/开挖护层、切断金属线), 离子束喷溅与有机气体协作则可完导体沉积 (金属线连接、测试键生                长).

  应用

   微线路修改（Microcircuit Modification）

            可直接对金属线做切断、连接或跳线处理. 相对于再次流片验证, 先用FIB工具来验证线路设计的修改,               在时效和成本上具有非常明显的优势.

   测试键生长（Test Pad/Probing Pad Building）

            在复杂线路中任意位置镀出测试键, 工程师可进一步使用探针台(Probe station) 或 E-beam 直接观测IC              内部信号.

  纵向解剖 Cross-section

            SEM扫描电镜/TEM透射电镜的样片制备.

9. TEM (Transmission Electron Microscopy)

  穿透式电子显微镜使用高能量聚集的电子材料,利用绕射(diffraction )的电子來形成影像,主要是看高解析度的      影 像(可看到个别的原子) 和物质的结构.晶体方向,大小,形狀,同质異形结构, 異质同形结构. 结构性缺陷分析(離子布值后的残余缺陷,制程损伤),另外,利用电子激发的x射线光谱,可鉴定物质的化学成份.